10月22日下午，中宣部“推动高质量发展调研行”采访团走进长鑫存储技术有限公司。

“今年9月20日，长鑫存储10纳米级第一代8Gb DDR4芯片首度在世界制造业大会上亮相，标志着我国在内存芯片领域实现量产技术突破，拥有了这一关键战略性元器件的自主产能。”长鑫存储董事长兼首席执行官朱一明表示。

今年9月，在世界制造业大会上，总投资超过2200亿元的合肥长鑫集成电路制造基地项目顺利签约，包括总投资约1500亿元的长鑫12英寸存储器晶圆制造基地、总投资超过200亿元的空港集成电路配套产业园、总投资约500亿元的合肥空港国际小镇三个片区，致力于打造产城融合国家存储产业基地、世界一流的存储产业集群。（记者 桂运安）